Схема одновибратора управляющяя тиристором

схема одновибратора управляющяя тиристором
Избыточный заряд дырок уравновешивается заря­дом отрицательных ионов, при этом сохраняется электри­ческая нейтральность полупроводника. Между импульсами производитель рекомендует давать 20мс. Но это не критично и машинку можно разогнать. Когда на вход приходит импульс, то он своим передним фронтом запускает одновибратор внутри сервомашинки. Подключение источников и показано на рис. 1.11, а. Подложка соединяется с истоком; это соединение либо осуществляет­ся внутри прибора, либо подложка имеет вывод во внеш­нюю цепь (П) и это соединение осуществляется по внеш­ней цепи.


Эта задача крутится фоном и вызывается диспетчером раз в 20мс, впрочем, частоту можно поменять. Поскольку база в транзисторе выполняется тонкой, основная часть дырок, инжектирован­ных эмиттером, достигает коллекторного перехода, не по­падая в центры рекомбинации. Эмиттерный переход n-p-n транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном.

Среднее время между моментами генерации и рекомби­нации называется временем жизни носителя заряда. При обратном смещении р-n перехода суммарная на­пряженность электрического поля перехода возрастает, поэтому возрастает заряд двойного электрического слоя и ширина запирающего слоя. Электронной составляющей диффузионного тока через эмиттерный переход можно пренебречь, так как , поскольку выше оговаривалось условие . Таким образом, ток эмиттера . Под воздействием сил диффузии в результате перепада концентрации вдоль базы дырки продвигаются от эмиттера к коллектору. Этим способом легко выполнимы пленочные проводниковые соединения, резисторы, конденсаторы. Потенциальный барьер эмиттерного пе­рехода, смещенного в прямом направлении, снижается, на коллекторном переходе потенциальный барьер увеличивается. В результате приложения к эмнттерному переходу пря­мого напряжения начинается усиленная диффузия (инжекция) дырок из эмиттера в базу. Часы на базе индикатора HT1610 21. Андрей А. Левкин.

Похожие записи: